时间：2025/5/8 20:03:40
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BSZ086P03NS3 G 是一款基于硅材料制造的 N 沃特肖特基二极管，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等需要高效整流和低损耗的场景。该器件具有超低正向压降和快速恢复时间的特点，适合高频电路设计。其封装形式通常为 TO-252(DPAK)，能够提供良好的散热性能。
这款二极管主要面向消费电子、工业控制以及汽车电子等领域，适用于要求高效率、高可靠性的应用场合。
最大重复峰值反向电压：30V
正向电流(If)：8A
正向压降(Vf)：0.45V@8A
反向恢复时间(trr)：17ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
热阻(结到壳)：35℃/W
BSZ086P03NS3 G 的主要特点是具备极低的正向压降 (Vf)，这可以显著减少导通时的能量损耗，并提升整体系统效率。此外，它还拥有非常短的反向恢复时间 (trr)，使其能够在高频环境下保持稳定表现。
同时，该二极管支持较高的工作温度范围 (-55℃ 至 +175℃)，适应多种极端条件下的使用需求。得益于 DPAK 封装形式，它可以有效降低热阻并增强散热能力，从而进一步提高可靠性。
另外，由于采用肖特基技术，此器件不存在少数载流子存储效应，因此在高频开关电路中表现出色，非常适合于现代电力电子设备的设计。
BSZ086P03NS3 G 主要应用于以下领域：
1. 开关电源中的同步整流和续流二极管；
2. 电机驱动电路中的 freewheeling 保护功能；
3. 太阳能逆变器及 DC-DC 转换器中的高效整流；
4. 汽车电子系统，例如车载充电器、LED 驱动器等；
5. 工业自动化设备中的各类功率转换模块。
MBR8U30T3G, SS8U30AL
